MOSFETブリッジダイオード
18年6月追記：本記事の内容は追加の検討した結果、下記回路は諸々部品が足りないので素直にブリッジダイオード使う方が無難との結論に達しました。簡単に言えばダイオードとして使いたいのに逆流する瞬間が存在するのでブリッジダイオードより大幅にリップルが増えます。対策しようとするとディスクリートで組む気が起きない程度に大きい回路が必要なので勉強のためのお遊びにとどめておいた方が無難です。
LT4320があります。
秋月からこれを使った理想ブリッジダイオードも出ていますが
いかんせん高い。趣味の電子工作に使うには値段も合わせてオーバースペック感漂います。
欲しいのはせいぜい～±15V2Aぐらいを作れて、ダイオードブリッジの電圧ドロップが
0.6V×2から0.3V程度まで減って、ダイオードブリッジ組むのとお値段があまり変わらなければうれしいな。ぐらいのイメージです。
で、下記URLのIR DESIGN TIPSを見たときから応用すればブリッジダイオード組めそうだな～なんて頭の片隅で考えてました。
http://www.irf.com/technical-info/designtp/dt94-8.pdf
で、こんな回路組めば良いじゃんと最近気づいたのでメモ。真ん中部分のトランス相当のインダクタ三つと結合係数K1は適当。単に100V→12Vぐらいになるようにしただけ。
で、Sim結果はこちら。意図通りのブリッジダイオードになっていそう。
この結線ならNMOS, PMOSのvgs最大値はそれぞれvp,vn電位に制限される。よって、秋月あたりで入手しやすい耐圧50V,20AくらいのNMOS, PMOSのVGS絶対最大定格が±20Vなことを加味すると±12Vぐらいまでは難しい事を考えずに使える気がする。
ただ、当初もくろみよりもVDSが約0.7Vと大きめ。Ronが高すぎるのか、スパイク電流が大きすぎるのかは一度実機を組んで確認しておきたい。
この回路でダイオードドロップを0.3V程度まで下げられるなら、海外製の安いけど半端な電圧になりがちなAC115V入力トランスとか、真空管のヒーター直流点火回路に具合が良いはずなので期待したい。
